сортировать по цене
Модули памяти
$28,3
(268 850 руб.)
(
Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Буферизованная (Registered): нет; Поддержка ECC: нет; Тактовая частота: 800 МГц; Пропускная способность: 6400 Мб/с; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Объем: 1 модуль 2 Гб; Тип памяти: DDR2;
$14,8
(140 600 руб.)
(
Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Буферизованная (Registered): нет; Поддержка ECC: нет; Тактовая частота: 1333 МГц; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Объем: 1 модуль 2 Гб; Тип памяти: DDR3;
$19,1
(181 450 руб.)
(
Форм-фактор: SODIMM 204-контактный; Буферизованная (Registered): нет; Поддержка ECC: нет; Тактовая частота: 1333 МГц; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Объем: 1 модуль 2 Гб; Тип памяти: DDR3;
$42,5
(403 750 руб.)
(
Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Буферизованная (Registered): нет; Поддержка ECC: нет; Тактовая частота: 1333 МГц; Пропускная способность: 10666 Мб/с; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Объем: 2 модуля по 2 Гб; Тип памяти: DDR3; Радиатор: есть; Напряжение питания: 1.65 В; CAS Latency (CL): 8; Row Precharge Delay (tRP): 8; Activate to Precharge Delay (tRAS): 24; RAS to CAS Delay (tRCD): 8;
$18
(171 000 руб.)
(
Форм-фактор: SODIMM 200-контактный; Буферизованная (Registered): нет; Поддержка ECC: нет; Тактовая частота: 800 МГц; Пропускная способность: 6400 Мб/с; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Объем: 1 модуль 1 Гб; Тип памяти: DDR2; CAS Latency (CL): 5; Row Precharge Delay (tRP): 5; RAS to CAS Delay (tRCD): 5;
$15,6
(148 200 руб.)
(
Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Буферизованная (Registered): нет; Поддержка ECC: нет; Тактовая частота: 1333 МГц; Пропускная способность: 10666 Мб/с; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Объем: 1 модуль 2 Гб; Тип памяти: DDR3; CAS Latency (CL): 9; Row Precharge Delay (tRP): 9; RAS to CAS Delay (tRCD): 9;
$12
(114 000 руб.)
(
Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Буферизованная (Registered): нет; Поддержка ECC: нет; Тактовая частота: 1333 МГц; Пропускная способность: 10600 Мб/с; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Объем: 1 модуль 1 Гб; Тип памяти: DDR3; Напряжение питания: 1.5 В; Количество ранков: 2; Количество чипов каждого модуля: 16, двусторонняя упаковка;
$45
(427 500 руб.)
(
Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Буферизованная (Registered): нет; Поддержка ECC: нет; Тактовая частота: 1600 МГц; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Объем: 3 модуля по 1 Гб; Тип памяти: DDR3; Радиатор: есть; Напряжение питания: 1.65 В; CAS Latency (CL): 8; Row Precharge Delay (tRP): 8; Activate to Precharge Delay (tRAS): 24; RAS to CAS Delay (tRCD): 8;
$45
(427 500 руб.)
(
Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Буферизованная (Registered): нет; Поддержка ECC: нет; Тактовая частота: 1600 МГц; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Объем: 3 модуля по 1 Гб; Тип памяти: DDR3; Радиатор: есть; Напряжение питания: 1.65 В; CAS Latency (CL): 8; Row Precharge Delay (tRP): 8; Activate to Precharge Delay (tRAS): 24; RAS to CAS Delay (tRCD): 8;
$14
(133 000 руб.)
(
Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1333 МГц; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Объем: 1 модуль 2 Гб; Тип памяти: DDR3; Напряжение питания: 1.5 В;
$11,6
(110 200 руб.)
(
Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Буферизованная (Registered): нет; Поддержка ECC: нет; Тактовая частота: 1333 МГц; Пропускная способность: 10600 Мб/с; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Объем: 1 модуль 1 Гб; Тип памяти: DDR3;
$15,5
(147 250 руб.)
(
$11,9
(113 050 руб.)
(
$15
(142 500 руб.)
(
$12,2
(115 900 руб.)
(
Выбор по параметрам:
Модули памяти
по производителю:
по типу: