сортировать по цене
Модули памяти
$16
(152 000 руб.)
(
Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1333 МГц; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Объем: 1 модуль 2 Гб; Тип памяти: DDR3; Напряжение питания: 1.5 В;
$15
(142 500 руб.)
(
Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Буферизованная (Registered): нет; Поддержка ECC: нет; Тактовая частота: 1333 МГц; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Объем: 1 модуль 2 Гб; Тип памяти: DDR3;
$16,5
(156 750 руб.)
(
Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Буферизованная (Registered): нет; Поддержка ECC: нет; Тактовая частота: 1333 МГц; Пропускная способность: 10600 Мб/с; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Объем: 1 модуль 2 Гб; Тип памяти: DDR3;
$20,2
(191 900 руб.)
(
Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Буферизованная (Registered): нет; Поддержка ECC: нет; Тактовая частота: 800 МГц; Пропускная способность: 6400 Мб/с; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Объем: 1 модуль 1 Гб; Тип памяти: DDR2;
$20
(190 000 руб.)
(
Форм-фактор: SODIMM 204-контактный; Буферизованная (Registered): нет; Поддержка ECC: нет; Тактовая частота: 1333 МГц; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Объем: 1 модуль 2 Гб; Тип памяти: DDR3;
$43,5
(413 250 руб.)
(
Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Буферизованная (Registered): нет; Поддержка ECC: нет; Тактовая частота: 1333 МГц; Пропускная способность: 10666 Мб/с; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Объем: 2 модуля по 2 Гб; Тип памяти: DDR3; Радиатор: есть; Напряжение питания: 1.65 В; CAS Latency (CL): 8; Row Precharge Delay (tRP): 8; Activate to Precharge Delay (tRAS): 24; RAS to CAS Delay (tRCD): 8;
$19
(180 500 руб.)
(
Форм-фактор: SODIMM 200-контактный; Буферизованная (Registered): нет; Поддержка ECC: нет; Тактовая частота: 800 МГц; Пропускная способность: 6400 Мб/с; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Объем: 1 модуль 1 Гб; Тип памяти: DDR2; CAS Latency (CL): 5; Row Precharge Delay (tRP): 5; RAS to CAS Delay (tRCD): 5;
$15,4
(146 300 руб.)
(
Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Буферизованная (Registered): нет; Поддержка ECC: нет; Тактовая частота: 1333 МГц; Пропускная способность: 10666 Мб/с; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Объем: 1 модуль 2 Гб; Тип памяти: DDR3; CAS Latency (CL): 9; Row Precharge Delay (tRP): 9; RAS to CAS Delay (tRCD): 9;
$13
(123 500 руб.)
(
Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Буферизованная (Registered): нет; Поддержка ECC: нет; Тактовая частота: 1333 МГц; Пропускная способность: 10600 Мб/с; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Объем: 1 модуль 1 Гб; Тип памяти: DDR3; Напряжение питания: 1.5 В; Количество ранков: 2; Количество чипов каждого модуля: 16, двусторонняя упаковка;
$31
(294 500 руб.)
(
Форм-фактор: SODIMM 200-контактный; Буферизованная (Registered): нет; Поддержка ECC: нет; Тактовая частота: 800 МГц; Пропускная способность: 6400 Мб/с; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Объем: 1 модуль 2 Гб; Тип памяти: DDR2; CAS Latency (CL): 5; Row Precharge Delay (tRP): 5; RAS to CAS Delay (tRCD): 5;
$46
(437 000 руб.)
(
Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Буферизованная (Registered): нет; Поддержка ECC: нет; Тактовая частота: 1600 МГц; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Объем: 3 модуля по 1 Гб; Тип памяти: DDR3; Радиатор: есть; Напряжение питания: 1.65 В; CAS Latency (CL): 8; Row Precharge Delay (tRP): 8; Activate to Precharge Delay (tRAS): 24; RAS to CAS Delay (tRCD): 8;
$46
(437 000 руб.)
(
Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Буферизованная (Registered): нет; Поддержка ECC: нет; Тактовая частота: 1600 МГц; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Объем: 3 модуля по 1 Гб; Тип памяти: DDR3; Радиатор: есть; Напряжение питания: 1.65 В; CAS Latency (CL): 8; Row Precharge Delay (tRP): 8; Activate to Precharge Delay (tRAS): 24; RAS to CAS Delay (tRCD): 8;
$17
(161 500 руб.)
(
Форм-фактор: SODIMM 204-контактный; Буферизованная (Registered): нет; Поддержка ECC: нет; Тактовая частота: 1333 МГц; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Объем: 1 модуль 2 Гб; Тип памяти: DDR3;
$20,2
(191 900 руб.)
(
Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Буферизованная (Registered): нет; Поддержка ECC: нет; Тактовая частота: 800 МГц; Пропускная способность: 6400 Мб/с; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Объем: 1 модуль 1 Гб; Тип памяти: DDR2; CAS Latency (CL): 5; Row Precharge Delay (tRP): 5; Activate to Precharge Delay (tRAS): 15; RAS to CAS Delay (tRCD): 5;
$12,6
(119 700 руб.)
(
Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Буферизованная (Registered): нет; Поддержка ECC: нет; Тактовая частота: 1333 МГц; Пропускная способность: 10600 Мб/с; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Объем: 1 модуль 1 Гб; Тип памяти: DDR3;
Выбор по параметрам: